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數字存儲圖示儀測量MOSFET的開啟電壓(Gate Threshold Voltage),方法2

以IRFP460為例,測試條件為ID=250μA,連接見圖,D和G短路接儀器C端,S接儀器E端。
掃描電源:10V
電源極性:NPN(+)
測試模式:重復
功耗電阻:100Ω
柵極電阻:0Ω
垂直:0.1mA/格   移位Y0=+0.1mA
水平:1V/格      移位X0=0
階梯:1V/級 
階梯級數:10級

將“掃描電源%”旋鈕調到0位置,啟動測試后慢慢調高“掃描電源%”旋鈕,使曲線超出250μA,則MOSFET已經開啟,開啟電壓就是ID=250μA處的電壓。如圖57,實測開啟電壓為2.978V。

 

 

 

 

 

 

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