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半導體參數測試儀的技術指標

1.小電流i-v : 超低漏電流(fA),最 大電壓200V,最大電流1A; 2.高電壓I-V : 最大電壓1000V 3.通用I-V : 適合于大多數參數測試 4.c-v單元: 能夠在1MHz下測量10pF電 容,準確度達1%。上一篇: 晶體管特性圖示儀的用途五強電子來說明 下一篇: 半導體參數測試儀的主要功能